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V20200C, VF20200C, VB20200C & VI20200C
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89072
Revision: 24-Jun-09
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8
1.0 1.2 1.4 1.6
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TA
= 100 °C
0.0001
0.01
0.1
1
10
100
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
TA
= 100 °C
0.001
10
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
V20200C
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
VF20200C
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